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    CCP型プラズマエッチング装置

    製品情報

    CCPプラズマエッチング装置

     

    概    要
    ※ プロセスガスからラジカルを選択的に生成
    ※ 低電子温度、高密度プラズマが得られる60 MHzパワーを上部電極に印加
    ⇒ イオンエネルギーを高密度に制御するため2 MHzを下部電極に印加(オプション)

    ※ 常に最適なエッチングプロセス条件が維持されるシーケンスプログラムを内蔵
    ⇒ エッチング処理毎のクリーニング処理(O2)により、電極やチャンバー壁についた
        フロン系膜を除去